Au/Al2O3/n-Si SCHOTTKY DİYOTLARIN HAZIRLANMASI VE ELEKTRİKSEL ÖZELLİKLERİNİN FREKANSA BAĞLI İNCELENMESİ

Abstract

ÖZET

Bu çalışmada, Au/Al2O3/n-Si (MIS) Schottky diyotları (SDs) hazırlandı ve elektriksel karakteristikleri doğru ve ters ön-gerilim altındaki kapasitans-voltaj (C-V) ve kondüktans-voltaj (G/-V) ölçümleri kullanılarak incelendi. Kapasitans-voltaj (C-V) ve kondüktans-voltaj (G/-V) ölçümleri 3kHz-1MHz geniş frekans aralığında ve oda sıcaklığında gerçekleştirildi. Katkılanan verici atomlarının yoğunluğu (ND), Fermi enerji seviyesi (EF), potansiyel engel yüksekliği (B) ve tüketim tabakasının kalınlığı (WD) gibi temel diyot parametleri ters-öngerilim C-2-V eğrilerinden elde edildi. Ayrıca yapının direnci (Ri), Nicollian ve Brews tarafından geliştirilen admitans metodu ve arayüzey durumlarının yoğunluğu (Nss) düşük-yüksek frekans metodu kullanılarak elde edildi. Elde edilen deneysel sonuçların frekans ve uygulanan gerilime oldukça bağlı olduğu görüldü.

ABSTRACT

In this study, Au/Al2O3/n-Si (MIS) Schottky diodes (SDs) were prepared and their electrical characteristics were analyzed using capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G/-V) measurements under direct and inverse pre-voltage. Capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G/-V) measurements were carried out in the wide frequency range of 3 kHz-1 MHz at room temperature. The main diode parameters such as density of additived donor atoms (ND), fermi energy level (EF), potential barrier height (B), consumption layer thickness (WD) were obtained from inverse pre-voltage C-2-V curves. In addition, resistance of structure (Ri) was obtained using the admittance method developed by Nicollian and Brews and the intensity of the interface states (Nss) using the low-high frequency method. The obtained experimental results were seen to be highly dependent on frequency and applied voltage.