GO:SnSbS perovskit ince filmlerin üretimi ve optoelektronik uygulamaları
Küçük Resim Yok
Tarih
2019
Yazarlar
Dergi Başlığı
Dergi ISSN
Cilt Başlığı
Yayıncı
Karabük Üniversitesi
Erişim Hakkı
info:eu-repo/semantics/openAccess
Özet
Bu tez çalışmasında, GO:SnSbS perovskit ince filmleri Kimyasal Banyo Depolama (CBD) metodu ile farklı depolama sıcaklıklarında (20 °C, 40 ?C, 60 ?C ve 80 ?C) ITO ve Si taban malzemeler üzerine üretilmiştir. Üretilen filmlerin yapısal özellikleri X-ışını kırınım (XRD) yöntemi ve ATR/FTIR ile elde edilmiştir. Kimyasal bileşimleri EDX (Energy Dispersive X-ray) analizi ile belirlenmiştir. Yüzey morfolojileri ve yüzey kabalıkları ise FESEM ve AFM ile analiz edilmiştir. Zamana bağlı akım-voltaj (I-V) ölçümleri Keithley 2400 sourcemeter yardımı ile alınmıştır. Her bir numune için -0,2 V - 0,8 V aralığında 5 mV/s, 10 mV/s ve 20 mV/s tarama hızlarında spesifik kapasitans değerleri, enerji ve güç yoğunlukları hesaplanmıştır. Elde edilen sonuçlara göre GO:SnSbS/ITO için 40 °C'de ve GO:SnSbS/Si için 20 °C'deki depolama sıcaklıkları için spesifik kapasitans değerleri en düşük tarama hızı 5 mV/s' de sırası ile 575 F/g ve 562 F/g olarak elde edilmiştir. GO:SnSbS/ITO perovskit ince filmlerin depolama sıcaklıklarının artması ile spesifik kapasitans değerlerinin azaldığı görülmektedir. Bunun nedeni ise AFM sonuçlarından elde edilen yüzey kabalığının artmasıdır. Yüzey kabalığı artarsa iletimde direnç etkisi yapacağından yük depolama kapasitesini azaltacaktır. GO:SnSbS/Si perovskit ince filmlerin depolama sıcaklıklarının artması ile kapasitans değerlerinin azaldığı görülmektedir. Ancak bu değerlerin azalması her ne kadar yüzey kabalığı düşük olsa da, depolama sıcaklığının artması ile kimyasal bileşimde iletimi sağlayan metal oranının düşmesinden kaynaklanmaktadır.
In this thesis, GO:SnSbS perovskite thin films were produced via Chemical Bath Deposition (CBD) method on ITO and Si substrates at different deposition temperatures (20 ?C, 40 ?C, 60 ?C and 80 ?C). The structural properties of the films were obtained by X-ray diffraction (XRD) method and ATR/FTIR. Their chemical composition was determined by EDX (Energy Dispersive X-ray) analysis. Surface morphology and surface roughness were analyzed by FESEM and AFM. Time-dependent current-voltage (I-V) measurements were taken with the help of Keithley 2400 sourcemeter. Specific capacitance values, energy and power densities were calculated for each sample at scanning speeds of 5 mV/s, 10 mV/s and 20 mV/s in the range of -0.2 V to 0.8 V. According to the results, the specific capacitance values for deposition temperatures at 40 ?C for GO:SnSbS/ITO and 20 ?C for GO:SnSbS/Si have the lowest scanning speed at 5 mV/s and 572 F/g and 562 F/g, respectively. It is seen that the specific capacitance values of GO:SnSbS/ITO perovskite thin films decrease with increasing deposition temperatures. This is due to increased surface roughness obtained from AFM results. If the surface roughness increases, it will have a resistance effect on the conductivity, thus reducing the charge storage capacity. Specific capacitance values of GO:SnSbS/Si perovskite thin films decrease with increasing deposition temperatures. However, the decrease in these values is due to the decrease for metal in the chemical composition, which increases the deposition temperature, although the surface roughness is low.
In this thesis, GO:SnSbS perovskite thin films were produced via Chemical Bath Deposition (CBD) method on ITO and Si substrates at different deposition temperatures (20 ?C, 40 ?C, 60 ?C and 80 ?C). The structural properties of the films were obtained by X-ray diffraction (XRD) method and ATR/FTIR. Their chemical composition was determined by EDX (Energy Dispersive X-ray) analysis. Surface morphology and surface roughness were analyzed by FESEM and AFM. Time-dependent current-voltage (I-V) measurements were taken with the help of Keithley 2400 sourcemeter. Specific capacitance values, energy and power densities were calculated for each sample at scanning speeds of 5 mV/s, 10 mV/s and 20 mV/s in the range of -0.2 V to 0.8 V. According to the results, the specific capacitance values for deposition temperatures at 40 ?C for GO:SnSbS/ITO and 20 ?C for GO:SnSbS/Si have the lowest scanning speed at 5 mV/s and 572 F/g and 562 F/g, respectively. It is seen that the specific capacitance values of GO:SnSbS/ITO perovskite thin films decrease with increasing deposition temperatures. This is due to increased surface roughness obtained from AFM results. If the surface roughness increases, it will have a resistance effect on the conductivity, thus reducing the charge storage capacity. Specific capacitance values of GO:SnSbS/Si perovskite thin films decrease with increasing deposition temperatures. However, the decrease in these values is due to the decrease for metal in the chemical composition, which increases the deposition temperature, although the surface roughness is low.
Açıklama
Fen Bilimleri Enstitüsü, Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
Anahtar Kelimeler
Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering ; Metalurji Mühendisliği
