Yazar "Arslan, Bilal" seçeneğine göre listele

Listeleniyor 1 - 3 / 3
  • Küçük Resim Yok
    Öğe
    Comparative study of the effect of different interlayer thicknesses on frequency dependent electric modulus and conductivity in Au/n-Si structures
    (Elsevier Science Sa, 2021) Arslan, Bilal; Tan, Serhat Orkun; Orak, Ikram; Tecimer, Habibe Uslu
    Frequency dependent capacitance (C) and conductance (G/omega) data for Au/n-Si structures fabricated at room temperature without interlayers and with 5 nm and 10 nm aluminium-oxide (Al2O3) interlayer thicknesses are investigated. The Al2O3 interlayers were deposited by atomic layer deposition. Data on the complex electric modulus (M*) and alternating current electrical conductivity (sigma(ac)) values are acquired for the three structures in the 3 kHz-3 MHz frequency range between (-3 V) - (+5 V) bias interval and compared. It was observed that the C and G/omega values decreased with the increase in frequency and interlayer thickness and that the frequency increases as a result of polarization which also increases M*, especially in 5 nm and 10 nm interlayered structures. Frequency and interlayer thickness increment have a positive impact by increasing sigma(ac), while conductivity has been shown to be highly sensitive to the presence of an interlayer and to its thickness.
  • Küçük Resim Yok
    Öğe
    Comparison of dielectric characteristics for metal-semiconductor structures fabricated with different interlayers thicknesses
    (Springer, 2021) Arslan, Bilal; Tan, Serhat Orkun; Tecimer, Huseyin; Altindal, Semsettin
    The dielectric properties of MS structures without interlayer and with Al2O3 interlayer have been investigated in a wide frequency range under forward and reverse biases. In this context, parameters such as loss tangent (tan delta), dielectric constant (epsilon '), dielectric loss (epsilon '') were calculated from the capacitance and conductivity data. The observed changes in dielectric parameters have been attributed to the coupling mechanisms between charges placed at the interface states, surface and bipolar polarization, and traps. The experimental results clearly indicate that the values of epsilon ', epsilon '' and tan delta vary significantly with frequency and voltage. That is, the thickness of the interlayer changes considerably the dielectric properties of the structure. As a result, it has been revealed that the desired device properties can be achieved by varying the thickness of the interlayers.
  • Küçük Resim Yok
    Öğe
    Farklı kalınlıklarda al2o3 arayüzey tabakasının metal-yarıiletken yapılara eklenmesi ile dielektrik özelliklerinin incelenmesi
    (Karabük Üniversitesi, 2019) Arslan, Bilal; Tan, Serhat Orkun
    Bu tez çalışmasında, yarıiletkenin tipine (p-tipi / n-tipi) bağlı olarak tercih edilen uygun iş fonksiyonlu metaller ile yaygın kullanılan silisyum (Si) yarıiletkeni arasına alüminyum oksit tabakası eklenerek metal-yalıtkan-yarıiletken (MIS) yapılar hazırlanmıştır. MIS yapılarda yarıiletken ile metal arasındaki yalıtkan olan tabakanın kalitesi ve yarıiletken yüzeyi MIS Schottky diyotun güvenilirliğini ve performansını önemli ölçüde etkilediği gibi yük geçişlerini düzenlemek için de çok önemlidir. Burada genellikle kontrol edilebilir akım-iletim mekanizması gerçekleştirecek, yüzeyi pasivize edecek, sızıntı akımını en aza indirecek, dielektrik sabiti yüksek olan malzemeler seçilmesi gerekir. Bu çalışmada yalıtkan tabaka olarak diyotun performansını ve kalitesini önemli ölçüde etkileyecek Al2O3 tercih edilmiştir. İdeale yakın yüksek kalitede bir diyot elde edilmesi için diyotun elektriksel özelliklerinin yanısıra dielektrik özellikleri, arayüzey durumları (Nss), arayüzey tabakanın kalınlığı (dox) gibi birçok parametre de incelenmelidir. Bu nedenle çeşitli kalınlıklardaki arayüzey tabakasının metal-yarıiletken (MS) yapıların karakteristiğine etkisini ortaya çıkarmak için dielektrik özelliklerini incelemek oldukça önemlidir. Bu yüzden, bu tez çalışmasında, 5nm ve 10 nm arayüzey tabaka kalınlığına sahip MIS (Au/ Al2O3/ n-Si) yapıların ve arayüzey tabakasız MS (Au/ n-Si) yapının dielektrik sabiti (?'), dielektrik kayıp (?''), kayıp tanjant (tan?), elektrik modülüsün reel ve imajiner kısımları (M' and M"), elektriksel iletkenlik (?ac) gibi temel dielektrik özellikleri frekansa bağlı kondüktans-gerilim (G/?-V), kapasitans-gerilim (C-V) ölçümleri kullanılarak incelenmiştir.