Organik arayüzey tabakaya sahip Au/n-GaAs schottky engel diyotların akım-voltaj (I-V) karakteristiklerinin incelenmesi

Basit Öğe Kaydı
dc.contributor.advisorUslu, Habibe
dc.contributor.authorAlper, Mehmet Akif
dc.date.accessioned2024-09-29T18:32:48Z
dc.date.available2024-09-29T18:32:48Z
dc.date.issued2012
dc.departmentLisansüstü Eğitim Enstitüsü, Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalıen_US
dc.descriptionFen Bilimleri Enstitüsü, Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalıen_US
dc.description.abstractBu çalışmada katkısız ve katkılı organik arayüzey (PVA) tabakalı çok sayıda Au/n-GaAs Schottky engel diyotları (SBDs) hazırlandı. Hazırlanan diyotların temel elektriksel parametreleri olan sıfır-beslem potansiyel engel yüksekliği (?Bo), idealite faktörü (n), seri direnç (Rs) ve doyma akımı (Io) oda sıcaklığındaki akım-voltaj (I-V) ölçümleri kullanılarak elde edildi. Bu yapıların Rs değerleri Ohm yasası, Norde metodu ve Cheung fonksiyonları kullanılarak hesaplandı ve bu değerlerin birbiriyle uyum içinde olduğu görüldü. Polivinil alkol (PVA)' den yapılmış organik arayüzey tabakasının bir metal (Zn) ile katkılanarak diyotun performansı üzerine etkisi araştırıldı. Deneysel sonuçlar, Zn katkılı PVA arayüzey tabakasının Io, n, Rs değerlerini düşürdüğü; ?Bo ve diyotun iletkenliğini arttırdığı gösterdi. Bu sonuçlar, katkılı PVA arayüzey tabakanın diyotun performansını iyileştirdiğini göstermektedir.en_US
dc.description.abstractIn this study, Au/n-GaAs Schottky barrier diodes (SBDs) with and without metal doped organic interfacial layer (PVA) were fabricated. The main electrical parameters such as zero-bias barrier height (?Bo), ideality factor (n), series resistance (Rs) and reverse-saturation current (Io) of these diodes were obtained using current-voltage (I-V) characteristics at room temperature. The Rs values of these diodes were obtained by using Ohm law, modificated Norde method by Bohlin and Cheung functions. The obtained values of Rs for three methods are agreement each other. In addition, the effect of Zn doped PVA layer on diode performance was investigated. The obtained results show that Zn doped PVA layer decrease the Io, n, Rs values and increase ?Bo and conductivity values. It is clear that the dopedinterfacial PVA layer has improved the diode performance.en_US
dc.identifier.endpage66en_US
dc.identifier.startpage1en_US
dc.identifier.urihttps://tez.yok.gov.tr/UlusalTezMerkezi/TezGoster?key=RYan9_S-Z7Eir3xdWGXBiBDFuQBkupaPm21sK6QmuRvbqRd0SXJr960ns1OBSnRW
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.14619/14114
dc.identifier.yoktezid316273en_US
dc.language.isotren_US
dc.publisherKarabük Üniversitesien_US
dc.relation.publicationcategoryTezen_US
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessen_US
dc.subjectElektrik ve Elektronik Mühendisliğien_US
dc.subjectElectrical and Electronics Engineering ; Enerjien_US
dc.titleOrganik arayüzey tabakaya sahip Au/n-GaAs schottky engel diyotların akım-voltaj (I-V) karakteristiklerinin incelenmesien_US
dc.title.alternativeThe investigation of current-voltage characteristics of Au/n-GaAs schottky barrier diodes with organic interfacial layeren_US
dc.typeMaster Thesisen_US

Dosyalar

Koleksiyon

Lisansüstü Eğitim Enstitüsü Tez Koleksiyonu