Al/SiO2/p-Si (MIS) TİPİ FOTO DİYOTLARIN ELEKTRİKSEL ÖZELLİKLERİNİN İNCELENMESİ

dc.contributor.authorUslu, Muhammed Mustafa
dc.date.accessioned2021-04-22T13:11:25Z
dc.date.available2021-04-22T13:11:25Z
dc.date.issued2021-04
dc.departmentLisansüstü Eğitim Enstitüsü, Enerji Sistemleri Mühendisliği Ana Bilim Dalıen_US
dc.description.abstractBu çalışmada, hazırlanan Al/SiO2/p-Si (MIS) tipi foto diyotların elektriksel ve foto diyot karakteristikleri oda sıcaklığında incelendi. Al/SiO2/p-Si (MIS) tipi foto diyotun akım-voltaj (I-V) ölçümleri, karanlık ve 50 mW/cm2 ışık şiddeti için -3 V ile + 3 V aralığında 50 mV’ luk adımlarla, kapasitans-voltaj (C-V) ölçümleri ise -4 V ile +4 V aralığında 0.1 V’ luk adımlarla 1 MHz frekansta gerçekleştirildi. I-V ölçümleri kullanılarak sıfır-beslem potansiyel engel yüksekliği (?Bo), idealite faktörü (n), ters doyum akımı (Io), seri direnç (Rs) ve kısa devre direnci (Rsh) gibi foto diyota ait temel elektriksel parametreler elde edildi. Ayrıca foto diyotun C-V ölçümleri kullanılarak da diyotun difüzyon potansiyeli (VD), Fermi enerji seviyesi (EF), tüketim tabakasının kalınlığı (WD), katkılanan alıcı atomlarının yoğunluğu (NA) ve potansiyel engel yüksekliği (?B) gibi temel elektriksel parametreleri elde edildi. Ek olarak arayüzey tabakasının (SiO2) ve yapının direncinin elektriksel parametreler üzerinde etkisi araştırıldı. Elde edilen sonuçlar hazırlanan Al/SiO2/p-Si (MIS) tipi foto diyotların optoelektronik uygulamalarda optik sensör veya fotodiyot olarak kullanılabileceğini göstermiştir.en_US
dc.description.abstractIn this study, electrical and photo diode characteristics of Al/SiO2/p-Si (MIS) type photo diodes were examined at room temperature. Current-voltage (I-V) and capacitance-voltage measurements of Al/SiO2/p-Si (MIS) type photo diode, respectively, were carried out in the range of -3 V to + 3 V in 50 mV steps and -4 V to +4 V in 0.1 mV steps at 1 MHz for dark and 50 mW/cm2 light intensity. The electrical parameters of photo diode such as zero-bias barrier height (?Bo), ideality factor (n), reverse saturation current (Io), series resistance (Rs) and shunt resistance (Rsh) were obtained from the I-V measurements. In addition, using the C-V measurements of the photo diode, basic electrical parameters such as the diffusion potential (VD), the Fermi energy level (EF), depletion layer width (WD), carrier doping density of acceptors (NA) and the potential barrier height (?B) were obtained. In addition, the effect of the interface layer (SiO2) and the resistance of the structure on electrical parameters were investigated. The obtained results showed that the prepared Al/SiO2/p-Si (MIS) type photo diodes can be used as optic sensors or photodiodes in optoelectronic applications."en_US]
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.14619/1207
dc.identifier.urihttps://tez.yok.gov.tr/UlusalTezMerkezi/TezGoster?key=8tbPippmWV_b-Irrn9YEAmqzg-jH3KBmaMlw_6Rddu72cZ0UYKw_JYaSpXlac3Zr
dc.identifier.yoktezid670770en_US
dc.language.isotren_US
dc.relation.publicationcategoryTezen_US
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessen_US
dc.subjectPhoto diodeen_US
dc.subjectillumination effecten_US
dc.subjectseries resistanceen_US
dc.subjectinterface statesen_US
dc.subjectNorde and Cheung functions.en_US
dc.subjectFoto diyoten_US
dc.subjectışık etkisien_US
dc.subjectseri dirençen_US
dc.subjectarayüzey durumlarıen_US
dc.subjectNorde ve Cheung fonksiyonları.en_US
dc.titleAl/SiO2/p-Si (MIS) TİPİ FOTO DİYOTLARIN ELEKTRİKSEL ÖZELLİKLERİNİN İNCELENMESİen_US
dc.title.alternativeTHE INVESTIGATIONS OF ELECTRICAL PROPERTIES OF Al/SiO2/p-Si (MIS) TYPE PHOTO DIODESen_US
dc.typeMaster Thesisen_US

Dosyalar

Orijinal paket
Listeleniyor 1 - 1 / 1
Yükleniyor...
Küçük Resim
İsim:
10391310.pdf
Boyut:
2.76 MB
Biçim:
Adobe Portable Document Format
Açıklama:
Lisans paketi
Listeleniyor 1 - 1 / 1
Küçük Resim Yok
İsim:
license.txt
Boyut:
1.71 KB
Biçim:
Item-specific license agreed upon to submission
Açıklama: