Class J güç yükselteç tasarımı

dc.contributor.advisorYüzer, Ahmet Hayrettin
dc.contributor.authorSağlam, Ayşegül
dc.date.accessioned2024-09-29T18:37:30Z
dc.date.available2024-09-29T18:37:30Z
dc.date.issued2019
dc.departmentLisansüstü Eğitim Enstitüsü, Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalıen_US
dc.descriptionFen Bilimleri Enstitüsü, Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalıen_US
dc.description.abstractBu tez çalışmasında yeni bir Güç Yükselteç (GY) Sınıfı olan Class J GY topolojisi anlatılmıştır. Agilent ADS programı kullanılarak elde edilen devre topolojisinde Cree firmasına ait CGH40010 transistörü kullanılmıştır. Sabit elemanlar olarak Murata firmasının bobin ve kapasitörleri kullanılmıştır. Tasarımın simülasyon ile doğruluğunun sağlanması için transistörün ve lumped elemanların designkit leri ADS programına yüklenmiştir. Tasarım aşamasında Class J yük topolojisi yapılırken çıkış uyumlama devresinde iki farklı tasarım denenmiştir. GY tasarımında DC-4GHz frekans bandında çalışan kazancı 10dB Class J GY devresi tasarımı yapılması amaçlanmıştır. Bu amaca uygun olan tasarım topolojisi LPKF' de basılarak ölçümleri yapılmıştır. Sonuç olarak tek transistörlü yapı ile hedeflenen 40dBm çıkış gücü, %52.91 verimlilik ve 100MHz-3.25GHz çalışma frekansı sağlanarak Class J GY' nin mobil haberleşmede (LTE baz istasyonunda mak.46dBm transmit gücü ve mobil WiMAX baz istasyonu için mak. 43dBm transmit gücü) kullanılabileceği gösterilmiştir.en_US
dc.description.abstractIn this thesis, Class J Power Amplifier (PA) topology which is a new GY class is described. The circuit topology obtained by Agilent ADS program was used by Cree's CGH40010 transistor. Coils and capacitors of Murata were used as fixed elements. In order to ensure the accuracy of the design by the simulation, the designkit of the transistor and lumped elements are loaded into the ADS program. In the design phase, while the Class J load topology is being performed, two different designs have been tried in the output matching circuit. It is aimed to design Class J PA which is works in DC-4GHz frequency band and 10dB gain. The design topology, which is suitable for this purpose, was printed in LPKF and measured. As a result, the target output power 40dB with only one transistor structure, providing operating frequency 100MHz-3.25GHz and 52.91% efficient Class J GY is shown to be used in mobile communication (For LTE base station max.46dBm transmission power and for mobile WiMAX 43dBm transmission power).en_US
dc.identifier.endpage72en_US
dc.identifier.startpage1en_US
dc.identifier.urihttps://tez.yok.gov.tr/UlusalTezMerkezi/TezGoster?key=T1mWGp9MngYYkCSgiJvtVhl-lhz-ITCuliwx0kwlU8m8fp5_eJiSd0gJL6Kz9nyu
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.14619/14235
dc.identifier.yoktezid541199en_US
dc.language.isotren_US
dc.publisherKarabük Üniversitesien_US
dc.relation.publicationcategoryTezen_US
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessen_US
dc.subjectElektrik ve Elektronik Mühendisliğien_US
dc.subjectElectrical and Electronics Engineeringen_US
dc.titleClass J güç yükselteç tasarımıen_US
dc.title.alternativeClass J power amplifier designen_US
dc.typeMaster Thesisen_US

Dosyalar